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結果: 找到相關主題 69 個
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-100a-40v pmos,3204場效應管,KPD3204B參數資料-KIA MOS管
KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進的高單元密度溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關損耗，高效率低損耗；100%EAS保證、dV/dt效應顯著下降，穩定可靠，綠色設備可用，性能優越；封裝形式：TO...www.enlve.com/article/detail/5798.html 2025-07-18
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dcdc變換器mos管,80v160a場效應管,KNB2708A參數-KIA MOS管
KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，?超低柵極電荷，減少開關損耗提高效率；快速恢復體二極管、反向恢復時間短，性能優越，穩定可靠；廣泛應用于高效D...www.enlve.com/article/detail/5801.html 2025-07-18
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勢壘電容是什么,勢壘電容和擴散電容-KIA MOS管
在半導體器件中，由于空間電荷區（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變化時，耗盡層的寬度和電荷量會變化，導致電容的變化。這種情況下，勢壘電容與耗盡層的寬度有關，而耗盡層寬度又取決于外加電壓。所以勢壘電容應該是一個可變電容，其容值隨反向電壓...www.enlve.com/article/detail/5800.html 2025-07-18
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二極管正負極判斷,二極管的作用原理-KIA MOS管
普通二極管（如整流二極管）：負極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環標記。正極（陽極，A） 沒有標記。www.enlve.com/article/detail/5799.html 2025-07-18
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crss是什么電容,反向傳輸電容Crss詳解-KIA MOS管
反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導開關期間VDS變化階段（米勒平臺），延長開關時間并增加損耗；www.enlve.com/article/detail/5797.html 2025-07-17
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pmos的開啟電壓,pmos管的導通條件-KIA MOS管
pmos是低電壓開啟的，其導通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負值），即柵極相對于源極為負電壓時導通。pmos管的開通電壓為負值，通常在-5V至-10V范圍內。www.enlve.com/article/detail/5796.html 2025-07-17
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ups逆變器,190a40v,2404場效應管,KNY2404A參數引腳圖-KIA MOS管
KCY2408A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有新型溝槽工藝制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷減少開關損耗，高效穩定；快速恢復體二極管、反向恢復時間短，高頻性能優異?；廣泛應用于高效DCDC轉換器、同步...www.enlve.com/article/detail/5795.html 2025-07-16
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變頻電源原理,變頻器結構原理分享-KIA MOS管
變頻電源是由整個電路構成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流、中間直流環節和逆變等過程，將輸入的交流電轉換為頻率和電壓可調的交流電，從而實現對電機轉速和轉矩的精確控制。www.enlve.com/article/detail/5794.html 2025-07-16
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變頻器工作原理,變頻器逆變原理-KIA MOS管
變頻器的逆變原理是通過脈寬調制（PWM）技術控制開關器件通斷時序，將直流電轉換為頻率和電壓可調的交流電。www.enlve.com/article/detail/5793.html 2025-07-16
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充電器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A場效應管-KIA MOS管
KCY2408A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用SGT-MOSFET技術，專有新型溝槽工藝制造，??極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；快速切換能力，確保應用高效率、低損耗，穩定可靠；廣泛應用于交流直流快速充電器、同步整流...www.enlve.com/article/detail/5792.html 2025-07-15
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反激電源拓撲,反激拓撲結構原理-KIA MOS管
升降壓電路由電感周期性的充能和放能過程維持均勻的電壓輸出，且輸出電壓與輸入電壓極性相反。將升降壓電路中的電感替換成互相耦合的電感N1和N2（也就是變壓器）就是反激拓撲。www.enlve.com/article/detail/5791.html 2025-07-15
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?電源管理詳解,電源管理芯片工作原理-KIA MOS管
電源管理芯片廣泛應用于消費電子、通信設備、工業控制、汽車電子及新能源等領域。電壓調節：如LDO（低壓差穩壓器），用于將輸入電壓轉換為穩定的輸出電壓。DC-DC：包括升壓(Boost)、降壓(Buck)和升降壓(Boost-Buck)，用于調整電壓以適應不同負載的需求。www.enlve.com/article/detail/5790.html 2025-07-15
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47n60場效應管代換,50a600v,60R065參數資料-KIA MOS管
47n60場效應管參數代換型號KLM60R065B漏源擊穿電壓600V，漏極電流50A，極低導通電阻RDS(開啟) 50mΩ，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷75nC，減少損耗、提高效率；開關速度快、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、超高堅固性，穩定可靠；廣泛應用于高頻開關電源...www.enlve.com/article/detail/5789.html 2025-07-14
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電解電容符號,原理,作用詳解-KIA MOS管
電解電容是電容的一種，通常為由金屬箔（鋁/鉭）作為正電極，金屬箔的絕緣氧化層（氧化鋁/鉭五氧化物）作為電介質，陰極由導電材料、電解質（電解質可以是液體或固體）和其他材料共同組成。電解電容器以其正電極的不同分為鋁電解電容器和鉭電解電容器。www.enlve.com/article/detail/5788.html 2025-07-14